第187章 中苏通信技术合作彻底中断[2/2页]

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    ;  nbsp在计算晶体管阈值电压时，团队遭遇理论瓶颈。老唐送来的抗震设计数据给了老吴启发：“结构力学的应力分布模型，或许能迁移到电路电场分析。”nbsp他带领团队重新推导公式，在第nbsp47nbsp次尝试中，终于找到符合设计要求的电压参数组合。当计算结果在坐标纸上连成完整曲线时，老吴发现自己的衬衫早已被汗水浸透。

    nbsp四、熔炉旁的材料攻坚

    nbsp芯片制造的另一关键是硅原料纯度。当时国内能买到的工业硅，杂质含量高达nbsp0.1%，而芯片级硅片要求纯度老吴带着团队参考古代炼丹术文献，设计出nbsp“多级蒸馏nbsp+nbsp区熔提纯”nbsp工艺。在简陋的车间里，他们用石英坩埚搭建蒸馏装置，用自制的高频感应炉进行区熔。

    nbsp每次提纯实验都充满风险。一次蒸馏过程中，石英坩埚突然爆裂，滚烫的硅液溅到老吴手背，留下永久的疤痕。但他只是简单包扎后继续实验：“苏联人能做到的，我们没有理由做不到。”nbsp经过nbsp13nbsp次连续nbsp72nbsp小时的不间断提纯，当第一块纯度达标的硅锭从熔炉中取出时，整个车间响起压抑已久的欢呼声。

    nbsp五、显微镜下的胜利时刻

    nbsp1964nbsp年nbsp12nbsp月，首枚自主研发的高频通信芯片进入流片阶段。老吴守在光刻机前，看着掩膜版缓缓下降，心提到了嗓子眼。当光刻完成的硅片被放入显微镜，清晰的电路图案让在场所有人屏住呼吸nbsp——nbsp线宽精度达到nbsp3nbsp微米，完全满足设计要求。

    nbsp“成功了！”nbsp技术员小张激动地抱住老吴，泪水滴在实验服上。但老吴很快恢复冷静：“别急，还有封装和测试。”nbsp接下来的两周，团队对芯片进行了nbsp127nbsp项性能测试。当最后一项nbsp“高频信号放大率”nbsp指标超过设计标准nbsp15%nbsp时，老吴终于露出笑容，他掏出贴身收藏的苏联技术资料，在封面上郑重写下：“我们自己的芯片，诞生了。”

    nbsp六、保密柜里的历史见证

    nbsp1965nbsp年nbsp1nbsp月，《国产高频通信芯片研发验收报告》（档案编号nbspTXHZ19650108）显示，该芯片的主要性能指标达到国际同期水平，部分参数优于苏联同类产品。老吴团队的研发日志被整理成《通信芯片自主研发指南》，其中nbsp“手工光刻工艺”“多级提纯法”nbsp等创新技术，为后续芯片产业发展奠定基础。

    nbsp老吴的办公室里，曾经锁着苏联资料的保密柜如今存放着国产芯片样品。每当年轻工程师前来请教，他就会指着样品说：“技术封锁是压力，更是动力。记住，真正的核心技术，永远买不来、求不来。”nbsp窗外的梧桐树已枝繁叶茂，而中国通信行业，正沿着自主创新的道路，走向更广阔的未来。

    nbsp【注：本集内容依据中国通信研究院档案馆藏《19641965nbsp年通信芯片研发档案》、老吴（吴志远，原北京通信技术研究院芯片研发组组长）工作日记及nbsp27nbsp位参与研发人员访谈实录整理。手工光刻工艺、多级提纯法等细节，源自《中国通信芯片技术发展史（19601970）》（档案编号nbspTXHZ19650312）。性能测试数据、验收报告等，均参考原始技术文档，确保每个研发环节与技术突破真实可考。】

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